来源：Power Electronics News新型 OptiMOS™ 6 135 V 和 150 V MOSFET 可提高驱动器和 SMPS 应用的效率。英飞凌科技股份有限公司推出全新 135 V 和 150 V 产品系列，升级的了其 OptiMOS™ 6 MOSFET 产品组合。这些器件的设计符合驱动和开关电源 (SMPS) 应用的规格，是对之前推出的 OptiMOS 6 120 V MOS

来源：无锡日报 在全链条推进量子科技这一未来产业技术攻关和成果应用上无锡再迎重磅动作 25日，由上海交通大学无锡光子芯片研究院建设的国内首条光子芯片中试线正式启用，这标志着光子芯片正式步入产业化快车道，将突破原有的计算范式限制，为大规模智算带来新的想象空间。光子芯片是新一代信息技术的核心，能满足新一轮科技革命中人工智能、物联网、云计算、生物医药等领域对传输、计算、存储、显示的技术需求，已成为经济增

来源：Military AerospaceUWBGS 计划将为半导体电子领域的下一次革命，开发和优化超宽禁带材料和制造工艺。美国军方研究人员需要为新一代超宽禁带半导体开发新型集成电路衬底、器件层、结和低电阻电触点。他们从 RTX 公司找到了解决方案。位于美国弗吉尼亚州阿灵顿的美国国防高级研究计划局 (DARPA) 人员于 2024 年 9 月 13 日宣布与美国弗吉尼亚州阿灵顿的 RTX 雷神公司

据昕感科技官微消息，日前，昕感科技顺利完成晶圆厂首批投片。据悉，昕感科技江阴晶圆厂于2023年8月土建开工，2024年8月设备正式Move-in。一期占地面积50亩，建设净化间面积1万平方米。此次投片，标志着昕感晶圆厂正式进入全面营运阶段，昕感科技迈进更快发展时期，期待后续可为客户提供更好的支持与服务。资料显示，昕感科技聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术突破创新与产品研发生产，致力于

来源：通富微电近日，通富通达先进封测基地项目开工仪式在市北高新区通达地块隆重举行，该项目是通富微电迈向千亿市值、千亿产值之路的关键一步。通富先进封装测试生产基地项目是崇川区2024年省级重大项目，是通富微电迈向千亿市值、千亿产值之路的关键一步，包括通富通达和通富通科两个子项目。通富通达项目建成后，将弥补国内自主可控集成电路产业链短板，全面达产后年应税销售60亿元、税收超亿元。通富通科项目租用市北高

来源：businesswireAOZ1390DI 的先进 LPS 功能可大大降低危险条件下的风险（图源：Business Wire）Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) （“万国半导体”）是一家设计、开发和全球供应各种分立功率器件、宽禁带功率器件、电源管理 IC 和模块的公司，近日宣布推出其 AOZ1390DI-01 和 AOZ1390DI-02

来源：维科网光通讯近日，全球玻璃基光子芯片领域的领航者Ephos宣布了其业务版图的重大扩张计划，成功募集了850万美元（折合约5969.04万人民币）资金，并宣布在意大利米兰设立全球首个专注于玻璃基量子光子电路研发与制造的尖端工厂。该工厂预计年内全面投产，首批创新芯片产品也将在不久后惊艳亮相。（图片来源：Ephos）此次融资汇聚了欧洲创新委员会（EIC）及北约北大西洋防务创新加速器（DIANA）的

9月26日，SK海力士宣布全球率先开始量产12层HBM3E新品，实现了现有HBM产品中最大的36GB（千兆字节）容量。据悉，SK海力士将在年内向客户提供产品，距其今年3月全球率先向客户供应8层HBM3E，仅时隔6个月。SK海力士表示，12层HBM3E在面向AI的存储器所需要的速度、容量、稳定性等所有方面都已达到全球最高水平。率先成功量产12层堆叠产品，不仅满足了人工智能企业日益发展的需求，同时也进

来源：SEMI ChinaSEMI 美国加州时间2024年9月26日，SEMI发布《300mm晶圆厂2027年展望报告（300mm Fab Outlook Report to 2027）》指出，从2025年到2027年，全球300mm晶圆厂设备支出预计将达到创纪录的4000亿美元。强劲的支出是由半导体晶圆厂的区域化以及数据中心和边缘设备对人工智能（AI）芯片日益增长的需求推动的。2024年，全球3

来源：瞻芯电子近日，自2020年正式发布第一代碳化硅(SiC) MOSFET产品以来，瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，其中包含近400万颗车规级产品应用在新能源汽车市场，标志着产品的长期可靠性得到了市场验证。SiC MOSFET作为功率变换系统的核心元器件，其性能表现影响应用系统的效率表现。而产品的长期可靠性则更为关键，它决定了应用系统的安全和稳定。瞻芯电子CTO叶忠博士