来源：IEEE台积电在本月早些时候于IEEE国际电子器件会议（IEDM）上公布了其N2（2nm级）制程的更多细节。该新一代工艺节点承诺实现24%至35%的功耗降低或15%的性能提升（在相同电压下），同时其晶体管密度是上一代3nm制程的1.15倍。这些显著优势主要得益于台积电的全栅极（Gate-All-Around, GAA）纳米片晶体管、N2 NanoFlex设计技术协同优化（DTCO）能力，以及

来源：TECHPOWERUP2024 IEEE IEDM 会议目前正在美国加州旧金山举行。据分析师Ian Cutress在其社交平台上发布的动态，英伟达在本次学术会议上分享了有关未来 AI 加速器设计的愿景。英伟达认为未来整个 AI 加速器复合体将位于大面积先进封装基板之上，采用垂直供电，集成硅光子 I/O 器件，GPU 采用多模块设计，3D 垂直堆叠 DRAM 内存，并在模块内直接整合冷板。在英

国家知识产权局信息显示，广州壁仞集成电路有限公司取得一项名为“封装结构”的专利，授权公告号 CN 222126498 U，申请日期为2024年11月。专利摘要显示，本实用新型提供一种封装结构，具有芯片区、中间区和边缘区，所述中间区环绕所述芯片区，所述边缘区环绕所述中间区，且所述封装结构包括：封装基板；芯片组件，位于芯片区内，且与所述封装基板电连接；第一附加装置，位于中间区内，与芯片组件并排设置于封

据“合肥新站区”官微消息，12月12日，合肥赛美泰克科技有限公司在新站高新区开业运营。source：合肥新站区据悉，该项目总投资约2.3亿元，采用租赁芯屏高科技产业园厂房形式，用于建设IGBT及碳化硅（SiC）产线核心设备项目，生产智能测试分选机设备、甲酸真空焊接炉、SiC芯片测试分选机及晶圆老化测试设备等，达产后年产值约2.8亿元。项目于今年7月正式签约，10月企业顺利投产，11月产品交付客户端

来源：Silicon Semiconductor推出莱迪思 Nexus 2 下一代小型 FPGA 平台，通过莱迪思Avant 30 和 Avant 50 器件扩展中档产品组合，并增强特定应用解决方案堆栈和设计软件工具的功能。莱迪思半导体公司推出激动人心的全新硬件和软件解决方案，拓展了其在云 FPGA 创新领导地位的优势。全新莱迪思Nexus™ 2 下一代小型 FPGA 平台和基于该平台的首个器件系

来源：Silicon SemiconductorCEA-Leti 的研究人员利用液晶单元和 CMOS 图像传感器，开发出了首个能够在单个器件中感知光并进行相应调制的器件。该紧凑系统提供内在的光学对准和紧凑性，并且易于扩大规模，有利于在显微镜和医学成像等应用中使用数字光学相位共轭 (DOPC) 技术。CEA-Leti 混合信号 IC 设计研究工程师、IEDM 2024 论文的主要作者 Arnaud

来源：Silicon Semiconductor此次合作将利用意法半导体的 28nm FD-SOI 商用半导体批量制造工艺，为具有成本竞争力的大规模量子计算解决方案铺平道路。量子计算初创公司 Quobly 与意法半导体 (STMicroelectronics) 建立了革命性合作关系，旨在大规模生产量子处理器单元 (QPU)。意法半导体是一家全球半导体领导者，服务于整个电子应用领域的客户。通过利用意

来源：IEEE Spectrum看到底部的台积电新型晶体管了吗？我也没看到。——台积电台积电在旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上介绍了其下一代晶体管技术。N2（即 2纳米）技术是这家半导体代工巨头首次涉足的新型晶体管架构，称为纳米片或环绕栅极。三星拥有生产类似器件的工艺，英特尔和台积电预计均将在 2025 年开始生产。与台积电目前最先进的工艺 N3（3纳米）相比，这项新技术

来源：两江新区官网12月10日，重庆迈特光电有限公司出货仪式举行，标志着中国内陆地区第一个大规模光掩膜版生产设备投资项目正式投产。据了解，重庆迈特光电有限公司由HOYA（豪雅）株式会社和京东方集团共同出资成立，是世界上生产光掩膜版的企业在中国内陆地区第一个大规模光掩膜版生产设备投资项目，总投资22亿，计划2027年实现满负荷生产。完全达产后，预计年产能达到约2250张光掩膜版产品，产值达到7亿元。

来源:化合物半导体产业博览会CSE在全球科技快速发展的今天，电子器件正朝着更高速、更高功率和更小尺寸的方向不断迈进。传统的硅基技术虽然在过去几十年中取得了巨大成功，但在面对新兴应用如5G通信、电动汽车和高效能源转换时，逐渐显现出其局限性。为了满足这些高性能需求，化合物半导体材料如氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等应运而生，它们以其卓越的电学特性，为新一代电子设备提供了无限可能。然而，随着化合物半