最近，美国能源部（DoE）电力办公室（OE）公布了碳化硅半导体封装奖第一阶段的八名（最多十名）获奖者名单，每个（企业、组织或个人）将分到5万美元奖金。这些获奖者将继续进行下一阶段进行角逐。相关阅读：美国制造挑战计划——225万美元悬赏碳化硅半导体封装解决方案这些获奖者分别是：·Board Breakers（北达科他州法戈），通过使用增材制造技术打印3D陶瓷封装来替代传统电力电子模块。·Lincol

来源：集邦化合物半导体12月10日，安森美宣布与Qorvo达成协议，以1.15亿美元（折合人民币约8.33亿元）现金收购其碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）技术业务，包括其子公司United Silicon Carbide（UnitedSiC）。该交易需满足惯例成交条件，预计将于2025年第一季度完成。此次收购将补充安森美的Elite SiC功率产品组合，使公司能够满足人工智能数据中心电源

来源：杜芹半导体芯闻最近一段时间以来，芯片巨头英特尔在商业和市场层面经历了诸多挑战。但有一说一，英特尔在前沿技术领域的探索和布局依然具有行业标杆意义，其发布的技术路线图和成果为半导体行业提供了重要参考方向。在IEDM 2024大会上，英特尔发布了7篇技术论文，展示了多个关键领域的创新进展。这些技术涵盖了从FinFET到2.5D和3D封装（EMIB、Foveros、Foveros Direct），即

来源：IEEE台积电在本月早些时候于IEEE国际电子器件会议（IEDM）上公布了其N2（2nm级）制程的更多细节。该新一代工艺节点承诺实现24%至35%的功耗降低或15%的性能提升（在相同电压下），同时其晶体管密度是上一代3nm制程的1.15倍。这些显著优势主要得益于台积电的全栅极（Gate-All-Around, GAA）纳米片晶体管、N2 NanoFlex设计技术协同优化（DTCO）能力，以及

来源：TECHPOWERUP2024 IEEE IEDM 会议目前正在美国加州旧金山举行。据分析师Ian Cutress在其社交平台上发布的动态，英伟达在本次学术会议上分享了有关未来 AI 加速器设计的愿景。英伟达认为未来整个 AI 加速器复合体将位于大面积先进封装基板之上，采用垂直供电，集成硅光子 I/O 器件，GPU 采用多模块设计，3D 垂直堆叠 DRAM 内存，并在模块内直接整合冷板。在英

国家知识产权局信息显示，广州壁仞集成电路有限公司取得一项名为“封装结构”的专利，授权公告号 CN 222126498 U，申请日期为2024年11月。专利摘要显示，本实用新型提供一种封装结构，具有芯片区、中间区和边缘区，所述中间区环绕所述芯片区，所述边缘区环绕所述中间区，且所述封装结构包括：封装基板；芯片组件，位于芯片区内，且与所述封装基板电连接；第一附加装置，位于中间区内，与芯片组件并排设置于封

据“合肥新站区”官微消息，12月12日，合肥赛美泰克科技有限公司在新站高新区开业运营。source：合肥新站区据悉，该项目总投资约2.3亿元，采用租赁芯屏高科技产业园厂房形式，用于建设IGBT及碳化硅（SiC）产线核心设备项目，生产智能测试分选机设备、甲酸真空焊接炉、SiC芯片测试分选机及晶圆老化测试设备等，达产后年产值约2.8亿元。项目于今年7月正式签约，10月企业顺利投产，11月产品交付客户端

来源：Silicon Semiconductor推出莱迪思 Nexus 2 下一代小型 FPGA 平台，通过莱迪思Avant 30 和 Avant 50 器件扩展中档产品组合，并增强特定应用解决方案堆栈和设计软件工具的功能。莱迪思半导体公司推出激动人心的全新硬件和软件解决方案，拓展了其在云 FPGA 创新领导地位的优势。全新莱迪思Nexus™ 2 下一代小型 FPGA 平台和基于该平台的首个器件系

来源：Silicon SemiconductorCEA-Leti 的研究人员利用液晶单元和 CMOS 图像传感器，开发出了首个能够在单个器件中感知光并进行相应调制的器件。该紧凑系统提供内在的光学对准和紧凑性，并且易于扩大规模，有利于在显微镜和医学成像等应用中使用数字光学相位共轭 (DOPC) 技术。CEA-Leti 混合信号 IC 设计研究工程师、IEDM 2024 论文的主要作者 Arnaud

来源：Silicon Semiconductor此次合作将利用意法半导体的 28nm FD-SOI 商用半导体批量制造工艺，为具有成本竞争力的大规模量子计算解决方案铺平道路。量子计算初创公司 Quobly 与意法半导体 (STMicroelectronics) 建立了革命性合作关系，旨在大规模生产量子处理器单元 (QPU)。意法半导体是一家全球半导体领导者，服务于整个电子应用领域的客户。通过利用意