随着日本准备进口其首批极紫外（EUV）光刻机，作为唯一技术提供商的ASML计划大幅增加其当地员工。据日媒报道，ASML计划到2026年将其日本子公司的员工人数扩大到600人，比目前的员工人数增加50%。这一增长是由Rapidus、美光和台积电子公司JASM等在日本引入EUV系统推动的。Rapidus将于2024年底在北海道千岁市建成其第一座晶圆厂，并将引进ASML的EUV光刻系统以建立其试点生产线

来源：The Asahi Shimbun日本首相岸田文雄（左三）在参观 Rapidus公司新工厂的规划用地后与Rapidus公司董事长东哲郎（左二）合影。照片拍摄于7月24日，地点为北海道千岁市。日本首相岸田文雄加倍支持国内下一代芯片的生产，并承诺提供政府资金。岸田文雄于近日参观了Rapidus公司半导体工厂后表示：“我们需要继续扩大对半导体和人工智能技术的投资。”他解释说，政府将推动立法，通过增

来源：Digitimes Asia半导体行业传统上是在纳米尺度上进行的，而现在正将边界推向更小的“埃”尺度（十分之一纳米），中国台湾国立成功大学的一支创新团队已经制作出自组装设备，实现了这一前所未有的精度。他们的突破性方法可以使纳米凹槽内的微小半导体分子自动有序排列。突破瓶颈成大材料系助理教授徐邦昱（Hsu Bang-Yu）介绍，目前半导体制程是依赖于通过高真空外延设备，在微小衬底上生长晶体，并精

来源：通州政府网7月19日上午，松煜科技（南通）有限公司光伏、半导体设备及零部件制造项目举行开工仪式。松煜科技（南通）有限公司成立于2023年12月，主要从事太阳能工艺设备、半导体工艺设备、工艺炉热工设备的研发、生产及销售。此次开工的一期项目总投资2亿元，总建筑面积约2.2万平方米，致力于打造高端装备智能化工厂。该项目是松煜为实现中长期战略目标而实施的重要举措，也对提升技术创新能力、强化综合竞争力

来源：博顿光电《首台（套）重大技术装备推广应用指导目录》由工信部牵头制订，根据国家和重点产业的重大技术装备发展情况每2-3年动态调整一次，体现了政府对重大技术装备发展的引导。根据要求，入选指导目录的技术装备产品需具备突破性技术，并已在市场上实现销售或处于研制阶段，同时拥有已授权发明专利。这一举措旨在通过政策引导，鼓励和支持企业加强自主创新，突破关键核心技术，推动装备制造业向高质量、高附加值方向发展

来源：Silicon SemiconductorSkyWater位于明尼苏达的工厂旨在拥有世界上最先进的200毫米光刻技术。SkyWater Technology已从 Multibeam Corp. 获得首款用于批量生产的多柱电子束光刻 (MEBL) 系统。Multibeam (MB) 平台是半导体行业的里程碑，它提供了一种高吞吐量直接写入图案化系统，其速度比传统电子束设备快几个数量级，生产效率更

来源：III-V EPi分子束外延 (MBE) 和金属有机化学气相外延 (MOCVD) 是用于针对III-V族半导体合成的不同类型的外延生长技术。这两种技术均将原子逐层沉积到衬底或半导体晶圆上。它们生产具有精确成分和厚度的薄晶体层和半导体异质结构，以提供所需的特定光电特性和设备性能。在本文中，III-V Epi 首席技术官兼英国阿斯顿光子技术研究所 (AIPT) 光子学教授 Richard Hog

来源：芯智讯当地时间7月26日，美国拜登政府宣布，美国商务部和半导体封测大厂安靠（Amkor）签署了一份不具约束力的初步条款备忘录 （PMT）。美国商务部将根据《芯片与科学法案》提供高达 4 亿美元的拟议直接资金。这笔拟议的资金将支持安靠在亚利桑那州皮奥里亚的一个绿地项目投资约 20 亿美元和 2,000 个工作岗位，该项目将为世界上最先进的半导体提供完整的端到端先进封装，用于高性能计算、人工智能

转自：北京亦庄7月25日，北京经济技术开发区（北京亦庄）碳化硅功率芯片IDM企业——北京芯合半导体有限公司（以下简称“芯合半导体”）发布自主研发生产的SiC SBD（碳化硅二极管）、SiC MOSFET（碳化硅三极管）两个系列的多款碳化硅功率器件，为半导体产业发展注入“芯”动力。作为用来控制电流的重要半导体器件，SBD和MOSFET广泛应用于电力电子领域。而被称为第三代半导体关键材料的碳化硅（Si

来源：MEMS近日，在行业内引领“特色工艺”半导体芯片设计自动化国产替代解决方案企业逍遥(成都)科技有限公司（简称：逍遥科技）宣布完成数千万天使轮融资，由中南创投基金、成都天府科创投、深圳高新投、华芯程联合投资。 逍遥科技成立于2021年，是一家具备自主知识产权的电子/光电子芯片设计自动化(EDA/PDA)软件工具研发和服务公司，总部位于成都天府新区，并在深圳、武汉、无锡、新竹等地设有研发和晶圆代