来源：凌锐半导体 电动汽车中可能用到SiC MOSFET的主要汽车电子零部件包括车载充电机、车载DCDC变换器以及主驱逆变器等高压高功率电力电子转换器。 汽车电子零部件在产品设计时需要全方面的评估其中的关键半导体元器件，包括元器件的功能、电性能、机械性能、热性能、寿命等方面，同时还需要考虑项目设计的复杂度、可制造性、质量和成本等因素。目前SiC MOSFET已经开始逐步应用于电动汽车。下面列出了S

来源：华天科技9月22日，华天南京集成电路先进封测产业基地二期项目在浦口区奠基。南京市长陈之常，江北新区管委会主任浦口区委书记吴勇强，华天科技集团董事长肖胜利，华天科技集团常务副总裁刘建军、副总裁肖智轶共同出席。华天南京封测基地二期项目将建设具备国际先进水平的集成电路封装测试生产线，产品广泛应用于存储、射频、算力和AI等领域，并引进高端生产设备，全面提升企业的技术能力和市场竞争力。自落户南京浦口区

计算光刻作为现代芯片制造光刻环节的核心技术之一，其发展经历了从规则导向到模型驱动的转变。然而，随着制程迈向7nm乃至5nm节点，传统方法因规则局限、优化自由度不足等制约，难以满足复杂芯片设计的高要求。在此背景下，反向光刻技术（ILT）以其独特的优化思路应运而生。ILT即从目标芯片图案出发，逆向推导获得最优化掩模图案，极大地提升优化的灵活性和精准度，更能满足先进制程对图形精度的苛刻需求。因此，在探索

来源：集成电路材料研究近日，拓荆科技在接受机构调研时表示，公司自主研发并推出的超高深宽比沟槽填充CVD产品首台已通过客户验证，实现了产业化应用，并获得客户重复订单及不同客户订单，陆续出货至客户端验证。超高深宽比沟槽填充CVD设备可以在晶圆表面沉积高品质的介电薄膜材料，经过固化及氧化等处理工艺后，可达到完全填充间隙而不会留下孔洞和缝隙的效果。拓荆科技称，目前与超高深宽比沟槽填充CVD设备相关的反应腔

华尔街日报报道，台积电和三星两家芯片制造巨头已讨论在阿联酋建设大型工厂综合体，这可能会在未来几年改变该行业，并成为中东人工智能投资的基石。据知情人士透露，全球最大芯片制造商台湾半导体制造公司的高管最近访问了阿联酋，并谈到了一座与该公司在台湾一些最大、最先进的工厂相当的工厂综合体。据其他了解三星电子战略的人士透露，三星电子也在考虑未来几年在该国建立大型新芯片制造业务。他们说，这家韩国公司的高层领导最

来源：Power Electronics News新型 OptiMOS™ 6 135 V 和 150 V MOSFET 可提高驱动器和 SMPS 应用的效率。英飞凌科技股份有限公司推出全新 135 V 和 150 V 产品系列，升级的了其 OptiMOS™ 6 MOSFET 产品组合。这些器件的设计符合驱动和开关电源 (SMPS) 应用的规格，是对之前推出的 OptiMOS 6 120 V MOS

来源：无锡日报 在全链条推进量子科技这一未来产业技术攻关和成果应用上无锡再迎重磅动作 25日，由上海交通大学无锡光子芯片研究院建设的国内首条光子芯片中试线正式启用，这标志着光子芯片正式步入产业化快车道，将突破原有的计算范式限制，为大规模智算带来新的想象空间。光子芯片是新一代信息技术的核心，能满足新一轮科技革命中人工智能、物联网、云计算、生物医药等领域对传输、计算、存储、显示的技术需求，已成为经济增

来源：Military AerospaceUWBGS 计划将为半导体电子领域的下一次革命，开发和优化超宽禁带材料和制造工艺。美国军方研究人员需要为新一代超宽禁带半导体开发新型集成电路衬底、器件层、结和低电阻电触点。他们从 RTX 公司找到了解决方案。位于美国弗吉尼亚州阿灵顿的美国国防高级研究计划局 (DARPA) 人员于 2024 年 9 月 13 日宣布与美国弗吉尼亚州阿灵顿的 RTX 雷神公司

据昕感科技官微消息，日前，昕感科技顺利完成晶圆厂首批投片。据悉，昕感科技江阴晶圆厂于2023年8月土建开工，2024年8月设备正式Move-in。一期占地面积50亩，建设净化间面积1万平方米。此次投片，标志着昕感晶圆厂正式进入全面营运阶段，昕感科技迈进更快发展时期，期待后续可为客户提供更好的支持与服务。资料显示，昕感科技聚焦于第三代半导体SiC功率器件和功率模块的技术突破创新与产品研发生产，致力于

来源：通富微电近日，通富通达先进封测基地项目开工仪式在市北高新区通达地块隆重举行，该项目是通富微电迈向千亿市值、千亿产值之路的关键一步。通富先进封装测试生产基地项目是崇川区2024年省级重大项目，是通富微电迈向千亿市值、千亿产值之路的关键一步，包括通富通达和通富通科两个子项目。通富通达项目建成后，将弥补国内自主可控集成电路产业链短板，全面达产后年应税销售60亿元、税收超亿元。通富通科项目租用市北高